Вы здесь

NANO SEM 320 — сканирующий электронный микроскоп с вольфрамовым катодом

SEM-320 — это универсальный сканирующий электронный микроскоп с вольфрамовым катодом, отличающийся высокой производительностью и широким спектром применений.

Обладает превосходным качеством изображения, может оснащаться режимом низкого вакуума и получать изображения высокого разрешения с различным полем зрения. Благодаря большой глубине резкости изображение приобретает эффект стереоскопии. Широкие возможности масштабирования помогут вам исследовать мир микроскопических изображений.

  • Масштаб увеличения 1 - 300000х; 1 - 1000000х
  • Ускоряющее напряжение 0,2 кВ - 30 кВ
  • Высокий вакуум 3 ни при 30кВ (ВЭ), 8 нм при кВ (ВЭ), 4 нм при 30 кВ (ООЭ)
  • Низкий вакуум 3 ни при 30 кВ (ВЭ)
  • Дополнительный детектор вторичных @ Формат Ро1аго1<1 (з) Увеличение для экрана электронов для низкою вакуума
Анод - кобальтат лития
Анод - кобальтат лития
Общий чип-1
Общий чип-1
Обыкновенный чип-2
Обыкновенный чип-2
Отрицательный электрод - кремний с углеродным покрытием
Отрицательный электрод - кремний с углеродным покрытием
Анод - манганат лития
Анод - манганат лития
Солнечная батарея-1
Солнечная батарея-1
Высокополимерная пена
Высокополимерная пена
Катализатор-MOF Материалы
Катализатор-MOF Материалы
Горные породы
Горные породы
Керамические композиты
Керамические композиты
Карбид кремния Керамика SE
Карбид кремния Керамика SE
Порошок-сульфат магния
Порошок-сульфат магния

Технологии

Низкое ускоряющее напряжение

При низком ускоряющем напряжении образец углеродного материала имеет меньшую глубину проникновения, в связи с чем можно получить реальную форму поверхности образца с лучшей детализацией

Низкий вакуум

Материал фильтрующей волоконной трубки имеет плохую электропроводимость и заряжается в условиях высокого вакуума. При низком вакууме можно осуществлять прямое наблюдение непроводящих электрический ток образцов.

Большое поле зрения

Биологические образцы могут быть исследованы с большим полем зрения — например, можно легко получить общую форму тела божьей коровки, а также в деталях изучить структуру головы.

Навигация и защита от столкновений

Простая и удобная навигация — просто нажмите на то, что хотите посмотреть. Камера высокого разрешения уже в стандартной комплектации способна быстро находить образцы и снимать их на предметном столике с высокой четкостью.

Быстрая навигация / управление жестами

Быстрая навигация осуществляется с помощью прокрутки колесиком мыши, выбора двойным клином или рамкой области, которую необходимо увеличить.

Например, выбор рамки и увеличение: при навигации с малым увеличением вы можете получить большое поле трения обратна и быстро выбрать интересующую вас область, чтобы повысить эффективность работы.

Технология защиты от столкновений

Разнообразные способы зашиты от столкновении:

  1. Для предотвращения столкновений вручную введите высоту обратна, чтобы точно контролировать расстояние между образном и полюсным наконечником объектива.
  2.  На основе технологии распознавания изображений и динамического захвата осуществляется наблюдение за движением объектов, находящихся в камере, в режиме реального времени
  3. Аппаратное обеспечение зашиты от столкновений может остановить работу микроскопа в момент прикосновения, чтобы исключить повреждение полюсного наконечника (опция).

Особые функции

Интеллектуальная вспомогательная дисперсия

Визуально отображайте степень дисперсии всею поля зрения и быстро улучшайте качество изображения, просто щелкая мышью в нужном месте.

Автофокусировка

Фокусировка одним нажатием

Автоматическое рассеивание

Рассеивание в один клик для повышения эффективности работы

Автоматическая настройка контраста и яркости

Автоматическая настройка контраста и яркости одним нажатием клавиши для правильного отображения шкалы серого цвета

Одновременное отображения нескольких типов данных

Программное обеспечение поддерживает смешанную визуализацию ВЭ и ООЭ в один клик. Таким образом, можно одновременно наблюдать морфологию образца и получать информацию о его составе.

Быстрое вращение изображения

Переместите линию, и изображение мгновенно "выберет" правильный угол.

Масштабируемость

Сканирующий электронный микроскоп используется не только для наблюдения топографии поверхности, но и для элементного анализа поверхности образца.

Предусмотрено множество портов. В дополнение к традиционному детектору вторичных электронов (ДВЭ). детектору обратно-отраженных электронов (ДООЭ) и рентгеновскому энергодисперсионному спектрометру (ЭДС). Прибор поддерживает множество интерфейсов, таких как дифракция отраженных электронов (ДОЭ) и катодолюминесцентный спектрометр (КЛА). Прочие детекторы также могут входить в конфигурацию.

Электронный детектор обратно-отраженных электронов

Сравнение формировании и (обряжении с помощью вторичных электронов и обратно-отраженных электронов. В режиме электронного изображения в обратно-отраженных электронах эффект заряда значительно меньше, что позволяет получить больше информации о составе поверхности образца.

Функции детектора обратно-отраженных электронов: деление изображения на четыре сегмента и многоканальное формирование изображения

Деток отличается оригинальной конструкцией и высокой чувствительностью, имеет функцию деления изображения на 4 сегмента без наклона образца и может получать теневые изображения и изображения в композиционном контрасте в разных направлениях.

Дифракции отраженных электронов (ДОЭ)

Электронный микроскоп с вольфрамовым катодом обладает большим током пучка, что полностью отвечает требованиям высокоразрешающего ДОЭ-анализа и применяется для исследования текстуры или преимущественных кристаллографических ориентаций моно- или полиикристалличсского материала. ДОЭ может использоваться для индексирования и определения семи кристаллических систем, картирования кристаллических ориентаций, исследования дефектов, определения и разделения фаз, изучения межзерненных границ и морфологии, картирования микродеформаций.

Технические характеристики

Электрооптическая система

Тип электронной пушки: Электронная пушка с предварительно ориентированной вольфрамовой нитью

Разрешение

Высокий вакуум

  • Знм при 30 кВ (ВЭ)
  • 4нм при 30 кВ (00Э)
  • Знм при 3 кВ (ВЭ)

Низкий вакуум

  • Знм при 30 кВ (ВЭ)

Масштаб увеличения

  • 1 - 300 000х (Polaroid)
  • 1 - 1000 000х (увеличение на экране)

Ускоряющее напряжение 

  • 0,2-30 кВ

Система формирования изображений

Детектор

  • Детектор вторичных электронов (ДВЭ)
  • Детектор обратно-отраженных электронов,
  • низковакуумный
  • детектор вторичных электронов,
  • энерго-дисперсионный спектрометр ЭДС ит.д.

Формат сохранения изображения

  • TIFF, JPG, BMP, PNG

Система вакуумирования

Высокий вакуум

  • Больше 5 х 10-4 Па

Низкий вакуум

  • 5 - 1000 Па

Способ контроля

  • Полное автоматизированное управление

Турбомолекулярный насос

  • >240 л/с

Механический насос

  • 200 л/мин (50 Гц)

Камера для образцов

Оптические камеры

  • Обзорная камера
  • Навигационная камера.

Конфигурация предметного столика

  • Трехосевой автоматизированный

Ход

  • X: 120 мм
  • Y: 115 мм
  • Z: 50 мм

Программное обеспечение

  • Язык: английский
  • Операционная система: Windows
  • Навигация: Оптическая навигация, быстрая навигация жестами
  • Автоматические функции: автоматическая настройка яркости/контраста, автоматическая фокусировка, автоматическая регулировка астигматизма
  • Особые функции: Интеллектуальная система зашиты от столкновений, сшивка больших изображений (дополнительное программное обеспечение)

Требования к установке

Помещение

  • Длина > 3000 мм, ширина > 4000 мм, высота > 2300 мм

Температура:

  • 20-25°С

Влажность:

  • <50%

Электрические параметры: 

  • Источниr питания переменного тока 220 В (+10 %), 50 Гц, 2 кВА


Масштабируемость

ВЭ\ ООС\*ЭДС\*ДОЭ и т. д.


Оптическое наведение

Возможность быстрого позиционирования образцов и выделения областей интереса 


Сшивка больших изображений

Возможность осуществления полностью автоматического сбора и сшивки изображений с очень большим полем зрения


Смешанная визуализация изображений
(ВЭ + *ООЭ)

Информация о составе и морфологии поверхности образца на одном изображении


Двуханодная схема

Двуханодная схема улучшает разрешение и качество изображения при низком напряжении


Режим низкою вакуума

Режим низкого вакуума позволяет наблюдать в деталях поверхность и морфологию диэлектрических образцов.

Наш менеджер готов ознакомить вас с ВЫГОДНОЙ ЦЕНОЙ

Запрос цены